PS8625是一个DP显示端口 到LVDS转换器芯片,利用GPU和显示端口(DP) 或嵌入式显示端口(eDP) 输出和接受LVDS输入的显示面板.PS8625实现双通道DP输入,双链路LVDS输出.PS8625主要应用在笔记本电脑.一体式电脑.平板电脑等工控机设备当中. CS5211也是一种DP到LVDS转换芯片,CS5211的DP接收器支持嵌入式显示端口(eDP)1.1规范.CS5211将解码RGB格式的高速eDP的交流耦合差分信号,并驱动与LVDS接口集成的TFT面板,内置LVDS发射机配备

CS5211性能和参数可以替代CH7511B,PS8622,PS8625,LT7211等方案,用于设计DP转LVDS转换器,DP转LVDS控制板,DP转LVDS转接板等产品设计. CS5211是一个eDP到LVDS转换器,配置灵活,适用于低成本显示系统.CS5211符合eDP 1.2,支持单通道和双通道模式,每通道速度为1.62Gbps和2.7Gbps.与 强大的SerDes技术,CS5211可以恢复高速串行数据和低误码率. CS5211/PS8625/CH7511/LT7211各个参数详细对比

CH7511B是一款DP转lvds屏转换芯片CH7511B是一款eDP转LVDS转换芯片.CH7511B将嵌入式DisplayPort信号转换为LVDS(低压差分信号).通过CH7511B的高级解码/编码算法,输入的eDP高速串行视频数据可以无缝转换为LVDS,LVDS是一种流行的中/大型LCD显示器高速串行链路显示技术.这款芯片专为多功能一体PC工控机和笔记本 电脑市场而设计.CS5211也是一款eDP到LVDS桥接芯片.CS5211配置灵活,适用于各种低成本显示系统.CS5211与eDP 1

CH7511是主要用于设计eDP转LVDS转换器,怎么样设计一款低成本低BOM简单的DP转LVDS的转接设置,目前有一款可以替代兼容CH7511的方案电路,并且其设计电路整体BOM成本较低,并且设计简单易布线,转换率和兼容性都比CH7511要好.替代CH7511的芯片是台湾CAPSTONE CS5211下面讲解一下CS5211的特性和参数设定 CS5211是一个eDP转LVDS转换器,配置灵活,适用于低成本显示系统.CS5211符合eDP 1.2,支持单通道和双通道模式,每通道速度为1.62Gb

LT7211B是一种用于虚拟现实/显示应用的TYPE-C/DP1.2转LVDS转换芯片.LT7211B 对于DP1.2输入,LT7211B可以配置为1.2.4车道,还支持车道交换功能.自适应均衡使其适用于长电缆应用,最大带宽可达21.6Gbps.LT7211B对于LVDS输出,LT7211B可以配置为单端口.双端口或四端口.对于2D视频流,相同的视频流可以映射到两个分开的面板,对于3D视频格式,左侧数据可以发送到一个面板,右侧数据可以发送到另一个面板. CS5211是一款EDP转LVDS转换器方

目前市面上DP转LVDS转换--DP to LVDS Conversion 方案设计有以下: 龙迅LT8911 LT7211.普瑞PS8625.昆泰CH7511等方案,DP换LVDS转换主要是用在一些LVDS接口的液晶,将DP信号转出至LVDS屏输出,此时需要用DP TO LVDS这样一个转接板来实现屏显示效应.下面我们将着重讲述以上这几种方案的特性,另外也推荐一款更有性价比的低成本的DP转LVDS转接方案CS5211. 龙迅LT8911是一款 LVDS到eDP转换器具有单端口或双端口可配置LV

note: Some articles are very good in http://www.electronics-tutorials.ws/,I share them in the Cnblog so that Chinese hardware engineers can enjoy and learn. ComeFrom:http://www.electronics-tutorials.ws/filter/filter_4.html   The cut-off frequency or

消费类电子电路图设计中往往会涉及到4.2V锂离子电池充电电路.及4.2V转3.3V的LDO稳压电路,这里分享一种简单.便宜的设计方案: RT9193 300mA,Ultra-Low Noise,Ultra-Fast CMOS LDO Regulator. <0.01uA Standby Current When Shutdown. 2.5V~5.5V Input Voltage. SD8017 4.2V Li-Ion电池恒流恒压充电芯片. 可编程充电电流,最大可达800mA. 20uA Supp

1.该款电路为兼容可控硅调光的LED驱动电路,采用OB3332为开关控制IC,拓扑方案为Buck: 2.FB1:磁珠的单位是欧姆,而不是亨利,这一点要特别注意.因为磁珠的单位是按照它在某一频率 产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆.磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图,一般以100MHz为标准,比如600R@100MHz,意思就是在100MHz频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆: 3.UFM14PL-TP普通二极管: Maximum Recurrent Peak Re

1.同步动态扫描 多个数码管的显示采用的是同步动态扫描方法,同步动态扫描指的是:行信号和列信号同步扫描,是一种并行操作. 2.数码管驱动电路实现思路      如果要求数码管显示我们想要的数字,首先需要写一个数据接收模块,这个模块接收数据之后需要做什么样的处理呢?这时候我们会想到两个数码管,其中一个显示十位数字,另一个显示各位数字,即把这个数据的十位传给其中一个数码管,各位数字传给另一个数码管来显示.这样我们就会明确了:数据接收模块需要将接收的数据进行拆分,分别输出其十位数据与个位上的数据 程序

    一.等效串联电阻ESR概述 ESR是Equivalent Series Resistance的缩写,即“等效串联电阻”.理想的电容自身不会有任何能量损失,但实际上,因为制造电容的材料有电阻,电容的绝缘介质有损耗.这个损耗在外部,表现为就像一个电阻跟电容串联在一起,所以就称为“等效串联电阻”.有的电容还会标出ESR值(等效串联电阻),ESR越低,损耗越小,输出电流就越大,电容器的品质越高. 二.ESR的成因分析 任何一个电容都会存在ESR,在电容电极之间始终都存在着一个电气性的电阻,如金属

          come from:http://www.21ic.com/dianlu/basis/interface/2015-04-21/621607.htm AT89C52是美国Atmel公司生产的低电压.高性能CMOS 8位单片机,片内含8KB的可反复擦写的程序存储器和256B的随机存取数据存储器(RAM),器件采用Atmel公司的高密度.非易失性存储技术生产, 兼容标准MCS-51指令系统,片内配置通用8位中央处理器(CPU)和Flash存储单元,功能强大的AT89C52单片机可

中断和事件 1 嵌套向量中断控制器 特性: ● 68个可屏蔽中断通道(不包含16个Cortex™-M3的中断线):● 16个可编程的优先等级(使用了4位中断优先级):● 低延迟的异常和中断处理:● 电源管理控制:● 系统控制寄存器的实现: 嵌套向量中断控制器(NVIC)和处理器核的接口紧密相连,可以实现低延迟的中断处理和高效地处理晚到的中断.[正版请搜索:beautifulzzzz(看楼主博客园官方博客,享高质量生活)嘻嘻!!!] 1.1 系统嘀嗒(SysTick)校准值寄存器 系统嘀嗒校准值固

电路相关知识–读<<继电器是如何成为CPU的>> */--> *///--> *///--> 电路相关知识–读<<继电器是如何成为CPU的>> Table of Contents 1 引言 2 异或门怎么由简单的逻辑电路门组成的? 3 加法器怎么由基本逻辑门实现的? 4 触发器是什么? 5 R-S触发器和D触发器具体的真值表? 1 引言 先赞一下BIT祝威 发表的关于继电器如何成为CPU 的博文, 在阅读的过程中, 发现因为缺乏一些基本的电

在分频器电路中最重要的概念有两个:1)奇分频/偶分频:2)占空比. A)其中最简单的就是二分频电路,占空比为50%,其Verilog程序为 module half_clk(clr,clk_in,clk_out,out2); input clr,clk_in; output clk_out,out2; reg clk_out,out2; always @(posedge clk_in) begin ) ; out2=;end else begin clk_out<=~clk_out; out2=~

乱码电路(Garbled circuits)是Andrew Yao教授在上世纪80年代发明的一种很聪明的技术.它可以让两个人针对某个算式来计算答案,而不需要知道他们在计算式所输入的数字. 举个例子说,假如你和我都想知道咱们两个到底谁更年长一些,但是我们两个都比较谨慎,不想直接告诉对方自己的年龄.使用乱码电路方案,我们可以通过交换一些信息的方法来让彼此知道答案(比如我说我比你年轻),但是这种信息交换并不会让我知道你的确切年龄,你也同样不会知道我的确切年龄. 从文献中可以查到Garbled circ

当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 上图中,S1,S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为:1,VCC_S1<=VCC_S2.2,S1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定).3,Vgs<=VCC_S1.4,Vds&

本文使用最新出来的专用芯片TS3633 1)电路设计说明 1.电源电路 利用LM317低线性稳压芯片将5V或者12V的电源电压稳压到3.3V为TS3633提供工作电压.其中,磁珠L1主要用于抑制电源线上的高频噪声和干扰,电容C1也是用于抑制电源噪声. 2.偏置电路 端口RBIAS处外接一电阻R1构成其偏置电路,可以设置系统的内部参考. 3.standby 模式 STANDBY接低电平,使TS3633工作于正常工作模式. 4.二极管偏置电路 二极管偏置电路DC_DET,为光二极管检测器提供一直流偏

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

无论写什么嵌入式软件,我们都应该首先对硬件有所了解,这样更有助于我们写出高效精简的程序代码.本次活动我们使用的硬件平台是有悠龙公司提供的uTenux\AT91SAM3S4C开发套件,在悠龙公司的主页可以找到该开发板的电路图以及对应的说明文档. 打开电路图,第一页是对uTenux\AT91SAM3S4C开发板的整体结构介绍.该开发板是以ATMEIL公司的Cotex M3处理器 ASM3S(100脚)为核心控制器的.在控制器周围连接有相当多的外设,足够我们学习开发,另外悠龙公司也提供了对应的底层板级

1 引言 目前,雪崩光电二极管(APD)作为一种高灵敏.能精确接收数据和测量光功率的光探测器件广泛应用于光纤传感.光纤通信网络中.它借助于内部强电场作用产生雪崩倍增效应,具有极高的内部增益(可达102-104量级).然而,APD随温漂的变化严重影响其增益的稳定性．甚至引起测量精度的恶化.理论上可以证明APD的增益是其偏压V和温度T的函数,二者共同决定APD工作时的增益,而且在维持APD增益比较恒定的条件下,其偏压和温度之间存在一定的关系.因此.可以控制APD的偏压使之随温度按一定的规律改变.这样