节选内容转载自https://www.design-reuse.com/articles/13805/the-love-hate-relationship-with-ddr-sdram-controllers.html Keep the DRAMs Simple, Put Complexity in the Controller There are three critical decisions that forever complicated the DDR SDRAM memory con

DDR与SDRAM的最大区别:内部L-Bank的规格不同. SDRAM中的L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同, DDRAM中的存储单元的容量是芯片位宽的一倍. 所以一次的地址访问,可以进行2-Prefetch.内部的L-Bank一次传输2Nbit的数据,分为Nbit的数据传给复用器, 然后在DQS信号的控制下,每次分Nbit进行传输. 差分时钟,CK/CK#,其中的CK#并不能理解为第二个触发时钟,它起到的作用是校准CK的上下沿. (在CK上升沿快,下降沿慢的情况下,CK#则是上升沿慢,下

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

一.DDR电源简介 1. 电源 DDR的电源可以分为三类: a.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用. 有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等.电源电压的要求一般在±5%以内.电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算.由于DDR的电流一般都比较大,所以

转自 http://www.fairchildic.org/module/forum/thread-658-1-1.html (原帖包括详细的附件内容) 1. 电源 DDR的电源可以分为三类A.主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用.有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可.电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间

DDR PHY interface bit error testing and training is provided for Double Data Rate memory systems. An integrated circuit comprises a bit error test (BERT) controller that provides a bit pattern; and a physical interface having a plurality of byte lane

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家分享的是串行NOR Flash的DQS信号功能. 串行NOR Flash在嵌入式里的应用相当广泛,既可用作数据存储也可以用作代码(XiP)存储,串行NOR Flash种类很多,最早期有Standard SPI(一线),后来发展到QuadSPI(四线),到现在OctalSPI或者HyperBus SPI(八线),I/O管脚越来越多,数据吞吐率也越来越高.但到八线Flash的时候,你会发现多了一个特殊的控制信号DQS,DQS是Data Stro

ODT ( On-DieTermination ,片内终结)ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破,所谓的终结(端接),就是让信号被电路的终端吸 收掉,而不会在电路上形成反射, 造成对后面信号的影响. 顾名思义, ODT 就是将端接电阻移植 到了芯片内部,主板上不再有端接电路.在进入DDR 时代, DDR 内存对工作环境提出更高的要求,如 果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象, 就会对后面信号的影响造成 运算出错.因此目前支持DDR主板都是通过采用终结

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是Octal或Hyper Flash上DQS信号与Dummy Cycle联系. 关于在 i.MXRT 上启动 NOR Flash 时如何设置正确的 Dummy Cycle 值,痞子衡一共写过四篇文章:<IS25WP系列Dummy Cycle设置>.<IS25LP系列Dummy Cycle设置>.<Dummy Cycle设置为0的误区>.<DTR模式下Dummy Cycle设置>, 这四篇文章都是针

Tiny210(S5PV210) u-boot移植http://www.microoh.com/bbs/forum.php?mod=viewthread&tid=254&fromuid=6205(出处: 麦可网论坛) 请大家关注原作者南山一梦 一直想开一个帖子,针对课程的Stage4系统移植阶段,把一些在视频课程中没有讲透彻的地方,和大家一起讨论交流一下,今天开一个关于u-boot移植的帖子,分享一些我u-boot移植过程中的笔记和学习心得,全当是抛砖引玉,也希望大家能指出其中的错误,对于

DDR3中的状态机Diagram,详见相册. ACT:Activate,表示输出行地址,和是否自动precharge控制位. PRE:Precharge,在读写后,可以根据A10来判断是否自己进行precharge. PREA:Precharge all,一般在初始化阶段,来进行all bank的precharge. MRS:Mode Register Set,控制寄存器的设置,DDR3中共有四个,MR0,MR1,MR2,MR3. REF:Refresh,64ms内必须对所有的row进行自刷新.

IO资源 IO是与外界沟通和控制的通道,fpga提供了丰富的IO和一些实用的特性. 本文简要的将主要的特性摘录下来做设计参考用.具体参数参考handbook. 第一部分:IO特性概述 -----通过软件的灵活配置,可适应不同的电器标准与I/O物理特性:可以调整匹配阻抗特性,上下拉电阻:可以调整输出驱动电流的大小等. 可编程上拉(Each Cyclone II device I/O pin provides an optional programmable pull-up resistor dur

IO资源 IO是与外界沟通和控制的通道,fpga提供了丰富的IO和一些实用的特性. 本文简要的将主要的特性摘录下来做设计参考用.具体参数参考handbook. 第一部分:IO特性概述 -----通过软件的灵活配置,可适应不同的电器标准与I/O物理特性:可以调整匹配阻抗特性,上下拉电阻:可以调整输出驱动电流的大小等. 可编程上拉(Each Cyclone II device I/O pin provides an optional programmable pull-up resistor dur

Timing delays in a double data rate (DDR) dynamic random access memory (DRAM) controller (114, 116) are trained. A left edge of passing receive enable delay values is determined (530). A final value of a receive data strobe delay value and a final va

转载来自:http://blog.csdn.net/shanghaiqianlun/article/details/6976804 作者:shanghaiqianlun的专栏 1．结构框图: 2．管脚功能描述 管脚符号 类型 描述 A0-A9,A10/AP,A11,A12/BC#,A13 Input 地址输入.为ACTIVATE命令提供行地址,和为READ/WRITE命令的列地址和自动预充电位(A10),以便从某个bank的内存阵列里选出一个位置.A10在PRECHARGE命令期间被采样,以确定

DDR3 由排(Rank),体(Bank),行(Row),列(Column)组成的四维结构. Arria10是第一批支持ddr4的altera Arria10与老器件相比的新结构 (1)  更多的硬(核)件资源 硬phy 用于校准的硬Nios II处理器 一些协议还有硬核控制器 (2)  专门的硬件资源实现EMIF,包括快速IO逻辑和专门的时钟结构 (3)  高的时序性能使时序收敛变的简单 Arria10实现外部内存接口的独特的架构性特征 在老的器件中IO里的大部分PHY接口和读写通路都是硬的,

Advantages of Migrating to DDR5 DDR5 is the next evolution in DRAM, bringing a robust list of new features geared to increase reliability, availability, and serviceability (RAS); reduce power; and dramatically improve performance. Some of the key fea

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是在FDCB里使能串行NOR Flash的DTR模式. 前两篇文章 <IS25WP系列Dummy Cycle设置> 与 <IS25LP系列Dummy Cycle设置>, 痞子衡均是设置Flash的Fast Read Quad I/O SDR模式去启动的,但最近在恩智浦官方论坛上,有不止一个客户需要使能Flash的DTR模式去启动,他们似乎都遇到了小问题,难道DTR模式藏着什么玄机?走,跟痞子衡去瞧瞧: 一.什么是DTR模

源:DDR工作原理 DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”.DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来.也正因为如此,DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM,成为当今的主流.本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM(又称SDR SDRAM)的不同. DDR的核心频率.时钟频率和数据传输频率: 核心频率就是内存的工作频率:DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的,到了DDR2和DDR

本文转载自: https://blog.csdn.net/weixin_38233274/article/details/81016870 ODT是什么鬼?为什么要用ODT?在很多关于DDR3的博文和介绍中都没有将清楚.在查阅了很多资料并仔细阅读DDR3的官方标准(JESD79-3A)之后,总算有点了头绪,下面来整理整理. 1.首先ODT是什么? ODT(On-Die Termination),是从DDR2 SDRAM时代开始新增的功能.其允许用户通过读写MR1寄存器,来控制DDR3 SDRAM