文章目录 1 引言 2 延迟类型及典型时间 3 延迟源详细分析 3.1PWM死区时间插入 3.2 光耦延迟和预驱动器延迟 3.3晶体管开关延迟 3.4其他延迟 4 结语 在电机驱动的FOC控制开发过程中,您是否遇到过电机噪声过大.效率偏低甚至无法运转的情况?这一切有可能源于相电流的采样异常,从而导致FOC算法中无法重建正确的三相电流!小编这里给大家分析影响电流采样的一个因素--延迟源! 1 引言 在双电阻采样的电机驱动FOC控制中,采样点设置为驱动桥下管打开的中间时刻.注意,这里是驱动桥下管打开

如果本文帮到了你,帮忙点个赞: 如果本文帮到了你,帮忙点个赞: 如果本文帮到了你,帮忙点个赞: 创作不易 谢谢支持 文章目录 1 电流采样的作用 2 硬件架构 3 采样关键 4 采样方案 5 三电阻采样 5.1 三电阻采样点 5.2 双电阻采样 5.3 双电阻采样点 5.4 单电阻采样 5.4.1 Sa Sb Sc:100 5.4.2 Sa Sb Sc:110 5.4.3 SVPWM的开关状态 5.4.4 ST方案 6 总结 7 附录 1 电流采样的作用 在FOC算法中,电流采样在反馈环节是相当

电流采样是FOC的基础,具体有电流传感器采样.电阻采样,电阻采样以其简单低成本的应用广泛使用. 电阻法采样有单电阻采样.双电阻采样.三电阻采样. 一． 单电阻采样 单电阻采用分时采样,在一个PWM周期中需要采样二次才能重构三相电流,采样时刻很关键 如下图,iB = -(iA + iC) 单电阻采样有一些缺陷,当定子电压要求矢量位于空间矢量的分界扇区时候,占空比会出现两长一短或两短一长,这样只能采集单相电流,另外两相电流不能重现:当在低调制区域的时候,三个占空比几乎一样,不可能测量任何相电流.解决

MOSFET, MOS管, 开关管 MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金属氧化物半导体场效晶体管 常见封装 电路符号 MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会

1. FOC基本概念 参考:https://www.sohu.com/a/432103720_120929980 FOC(field-oriented control)为磁场导向控制,又称为矢量控制(vector control),是一种利用变频器(Variable-frequency Drive,VFD)控制三相交流马达的技术,利用调整变频器的输出频率.输出电压的大小及角度,来控制马达的输出.其特性是可以分别控制马达的磁场及转矩,类似他激式直流马达的特性.由于处理时会将三相输出电流及电压以矢量

你是否经历过一个人独自摸索前进磕磕碰碰最终体无完肤,然后将胜利的旗帜插到山顶的时刻,如果有,本文也许能帮你在调试FOC电流环的时候给你带来一些帮助和思路. 如果本文帮到了您,请帮忙点个赞

位置传感器:旋转编码器          MCU:STM32F405RGT6          功率MOS驱动芯片:DRV8301 全文均假设在无弱磁控制的情况下 FOC算法理论 首先,我们要知道FOC是用来干什么的?有什么用?相比于BLDC的六步方波驱动有什么优点? 传统的六步方波驱动由于产生的磁场旋转运动不连续,导致电机转子受的驱动力矩发生突变(转矩脉动),即使通过增加电机极对数也不能的很好解决这一问题.另外由于方波驱动产生的驱动力不能全部的用于转子切线方向的转矩,还有一部分力损失在转子径向

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

高端功率开关驱动的原理非常简单,和低端功率开关驱动相对应,就是负载一端和开关管相连,另外一端直接接地.正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过高端的开关管,然后经过负载流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,适用于高    

低端功率开关驱动电路的工作原理 低端功率开关驱动的原理非常简单,就是负载一端直接和电源正端相连,另外一端直接和开关管相连,正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过负载,然后经过功率开关流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,

一.MOSFET 简介: 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor).MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同,可分为"N型"与"P型" 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMO

文章目录 基于STM32的有感FOC算法学习与实现总结 1 前言 2 FOC算法架构 3 坐标变换 3.1 Clark变换 3.2 Park变换 3.3 Park反变换 4 SVPWM 5 反馈部分 5.1 相电流 5.2 电角度和转速 6 闭环控制 6.1 电流环 6.2 速度环 6.3 位置环 写在最后 基于STM32的有感FOC算法学习与实现总结 1 前言 Field Oriented Control 磁场定向控制 (FOC),FOC是有效换向的公认方法.FOC的核心是估计转子电场的方向.

1. 电流采样时间及通道 FOC需要通过采集相电流来进行控制,采样时间及通道极为关键,在二或三电阻采样方案中,采用如下方式: 在1.6扇区,B.C为采样通道: 在2.3扇区,A.C为采样通道: 在4.5扇区,A.B为采样通道: 要在下臂导通时间内进行采样,在PWM定时器工作在中心对齐模式下,最佳采样点为PWM定时器过零点,详细分析见FOC中的电流采样 2. 数据处理 FOC算法中涉及到很多运算,为了加快运算或者使用不支持浮点运算的处理器,通常用Q格式标定来把浮点数转换为定点数进行计算 ${X_Q

开关问题   Description 有N个相同的开关,每个开关都与某些开关有着联系,每当你打开或者关闭某个开关的时候,其他的与此开关相关联的开关也会相应地发生变化,即这些相联系的开关的状态如果原来为开就变为关,如果为关就变为开.你的目标是经过若干次开关操作后使得最后N个开关达到一个特定的状态.对于任意一个开关,最多只能进行一次开关操作.你的任务是,计算有多少种可以达到指定状态的方法.(不计开关操作的顺序) Input 输入第一行有一个数K,表示以下有K组测试数据. 每组测试数据的格式如下: 第

我对状态空间的理解:https://www.cnblogs.com/AKMer/p/9622590.html 题目传送门:http://www.joyoi.cn/problem/tyvj-1266 这道题的状态空间就是经过若干次开关灯之后每盏灯的状态. 然后我们可以一行一行的来开关灯.首先我们得了解两个性质: 1.每一盏灯要么不动它的开关,要么只动一次.(显然) 2.第\(i\)行我们需要按下开关的灯的位置,在第\(i-1\)行必然是关着的.(因为前\(i-1\)行不会再动了,所以我们必须要关这

MOS管的栅极和源极之间的电阻: 一是为场效应管提供偏置电压:二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S: 保护栅极G-源极S: 场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极:这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用. 具体的例子:MOS管在开关状态工作时,Q1.Q2是轮流导通,MOS管栅极在反复充

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V

目录SAIU R20 1 6 第1页第1 章. 初识STM32...................................................................................................................... 11.1. 课前预习..........................................................................................

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以