在实际项目中,常常出现芯片的内部FLASH空间不够的情况,这就须要将程序分一部分装到外部FLASH中. 为了让大家能少走些弯路,在这里把我在这当中遇到的一些问题和经验教训给大家分享一下. 仅供參考,假设有错误的地方欢迎指正,提前表示感谢! 转载请注明出处:blog.csdn.net/waitig1992 硬件环境介绍 芯片是LPC1788,外部FLASH是SST39VF1601(NORFLASH). 这个norflash在我的版本号的keil(v4.0)中没有烧写算法,须要自己手动编写烧写算法.

新的微芯片MCU增加了来自外部闪存的安全引导保护 New Microchip MCU Adds Secure Boot Protection from External Flash 对于从外部SPI闪存启动的操作系统,Microchip技术引入了其最新的加密微控制器(MCU),以防止恶意rootkit和bootkit恶意软件,从而实现了安全引导,硬件根信任保护符合NIST 800-193指南. 随着5G的增长,包括新的蜂窝基础设施.网络和数据中心,支持不断扩大的云计算,开发者需要确保操作系统保持

导读 96层堆叠3D NAND闪存已经成为行业主流,包括西部数据这样的传统机械硬盘大厂,也在逐步普及96层闪存,并已经用于消费级SSD. 96层堆叠3D NAND闪存已经成为行业主流,包括西部数据这样的传统机械硬盘大厂,也在逐步普及96层闪存,并已经用于消费级SSD. 西数联合东芝在2017年推出了96层堆叠的BiCS4闪存,支持TLC.QLC颗粒,单颗容量256Gb-1Tb.西数最初出货的是256Gb TLC颗粒,用于U盘.存储卡等设备,如今又扩大范围. 在最新季度财报发布后,西数透露已经开始

您可能会在Mac上无法显示的闪存驱动器上形成困扰.您确定驱动器正常,但Mac计算机无法检测到.  阅读这篇文章,闪存驱动器未显示在MacOS的Finder或磁盘工具上?为什么Mac无法识别USB该如何解决? 为什么Mac无法识别USB USB驱动器未在Mac上显示的主要原因有五个: USB驱动器被拖到其他位置.将闪存驱动器插入计算机时,您不小心将其拖到了其他位置. 您错误地弹出驱动器.您上次未正确连接到Mac的USB驱动器插入错误,这会导致驱动器识别问题. 该USB驱动器损坏不能由Mac检测.

导读 很多安全专家偏好像 VeraCrypt 这类能够用来加密闪存盘的开源软件,是因为可以获取到它的源代码.要是你需要在 Windows 系统,苹果的 OS X 系统或者 Linux 系统上加密以及访问文件,开源软件 VeraCrypt 提供绝佳的选择. 很多安全专家偏好像 VeraCrypt 这类能够用来加密闪存盘的开源软件,是因为可以获取到它的源代码.保护 USB 闪存盘里的数据,加密是一个聪明的方法,正如我们在使用 Microsoft 的 BitLocker 加密闪存盘 一文中提到的.但是

本文转载自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当

Hardy 架构师技术联盟 All Flash/SSD存储的趋势势不可挡,未来在NAS服务上也是如此,眼下已经有非常多家初创厂商支持全SSD的NAS存储服务,包含EMC Isilion也推出了全闪存节点. 闪存场景下的高IOPS能力,相应到NAS应该是OPS操作能力.如随机小文件读写.分析和热点加速等.在NAS对数据库的支持上.比如GPFS NAS 对PureScale.Oracle支持上.假设存储介质採用SSD.那么对数据库性能和处理能力上,将会有显著的提升. 今天我们来看看Purestora

从USB闪存驱动器启动 Hiren的BootCD 原文  http://www.hirensbootcd.org/usb-booting/ 本文基本上是翻译而来 要从USB闪存驱动器启动Hiren的BootCD,首先,您的BIOS设置应该配置为了更改您的计算机的引导顺序到USB驱动器. 如果您在BIOS中更改引导顺序有问题,请参阅在BIOS文档中更改引导顺序. 请注意,某些计算机可能不支持从USB驱动器启动,以下步骤仅适用于Hiren的BootCD 9.7或更高版本. 步骤1:格式化 USB闪存

IBM发布全新闪存解决方案,助企业存储架构做减法 http://stor-age.zhiding.cn/stor-age/2020/0227/3124851.shtml 感觉 配图弄错了 FlashSystem9200R 应该是机柜吧   IBM近日推出了一系列全新的闪存解决方案,旨在全方位满足企业在存储方面的需求,其中涵盖可扩展到混合多云存储部署的入门级和中高端系统. IBM近日推出了一系列全新的闪存解决方案,旨在全方位满足企业在存储方面的需求,其中涵盖可扩展到混合多云存储部署的入门级和中高端

BL8810是由台湾旺玖半导体推出的一款USB2.0 SD/MMC闪存读卡器单芯片.支持USB2.0高速传输,并符合通用串行总线规范.该芯片集成了一个高速的8051微处理器和一个最好的数据引擎,它的引脚设计适合卡插口提供更容易的PCB布局.它集成了5V至3.3V 3.3V到1.8V稳压器和电源MOSFET和它使芯片上的时钟源的功能(OCCS)这意味着任何外部12mhz XTAL是必要的,有效地降低了总的BOM成本.其性能可以替代GL823K,主要用在MMC/SD/MS等读卡设备上,免驱即插急用.

一直以来,大家对手机的配置方面都比较关注CPU和GPU的架构.频率.核心数等,却经常忽略了手机闪存的速度.实际上手机的闪存素质对手机日常操作的响应.载入速度同样起到举足轻重的影响,今天给大家介绍的则是一款可以测试手机闪存速度的应用——A1 SD Bench. A1 SD Bench是一款可以测试手机内置闪存.外置TF卡.外置储存设备.RAM速度的应用,在Google Play上即可搜索到,考虑到最近“网络环境”比较封闭,我们这里也提供下载链接:猛击这里(如假包换Google Play下载的最新2

在嵌入式系统中,NOR闪存一直以来仍然是较受青睐的非易失性内存,NOR器件的低延时特性可以接受代码执行和数据存储在一个单一的产品.虽然NAND记忆体已成为许多高密度应用的首选解决方案,但NOR仍然是低密度解决方案的首选之一. 未来闪存产品具有快速发展的趋势,可以发现,闪存产品从低密度.低性能.低功能的发展特点转变为高密度.高性能.高功能的发展特点.Spansion的NOR闪存广泛运用于汽车电子.医疗设备.通讯设备.机顶盒等. SPI Flash特性 SPI串行结构的EEPROM最早出现于20世纪

iPhone6自从发布以后一直又不少的诟病和非议,比如一机难求,容易掰弯,程序崩溃等, 甚至传出了苹果将要召回这些问题设备,最近有人终于查出了iPhone6安装大量程序后崩溃的原因,原因就是大容量的iPhone6尤其是128GB和部 分64GB版本采用了廉价的TLC闪存.那么怎么检测自己的手机是否采用了TLC闪存呢? 检测之前需要将自己的手机进行越狱,同时安装Cydia,电脑端下载iFunbox工具即可,具体方法如下: 1.在已越狱的iPhone 6/6 Plus上,进入Cydia搜索安装Ope

前面说过,闪存的读写单位为页,而页的大小一般为4KB或8KB,但我们的操作系统读写数据是按HDD的扇区尺寸进行的(512Byte(字节)),更麻烦的是闪存擦除以块作单位,而且未擦除就无法写入,这导致操作系统现在使用的文件系统根本无法管理SSD,需要更换更先进.复杂的文件去解决这个问题,但这样就会加重操作系统的负担.       而为了不加重操作系统的负担,SSD采用软件的方式把闪存的操作虚拟成磁盘的独立扇区操作,这就是FTL.因FTL存在于文件系统和物理介质(闪存)之间,操作系统只需跟原来一样操

早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同,会碰到各种各样的问题,特别是到了06年之后,闪存产业市场需求开始发力,造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题. 2007年1月,以英特尔,镁光,海力士,意法半导体,力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”.       ONFI 1.0制定的是包括:闪存指令,寄存器集,引脚排列,电气参数以及封装等有关标准.主要是从包括东芝和三星在内各NAND闪存厂商的

NAND闪存是一种电压元件,靠其内存电压来存储数据,现在我们就来谈谈它的结构及工作原理. 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate),它便是真正存储数据的单元.请看下图:                   数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的.存储电荷的多少,取决于图中的控制栅极(Control gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷.而数据

与前两代Momentus XT产品不同,希捷称第三代混合硬盘所使用的技术更接近真正的SSHD(Solid State Hybrid Disk?),而不是HHD.也就是说更偏向于固态硬盘.首先它不会属于Momentus XT系列,至少不会是Momentus品牌.希捷似乎有意将其宣传为笔记本电脑SSHD.台式机SSHD或是笔记本轻薄SSHD,这就让人听得一头雾水.至于为什么希捷要放弃原有的Momentus XT之名,公司并没有给出任何关于这方面的解答. 那么,为什么希捷选择了8GB作为标准的闪存容量

Oracle数据库部分迁至闪存存储方案 1.实施需求 2.确认迁移表空间信息 3.确认redo信息 4.确认undo信息 5.表空间迁移到闪存 6.redo迁移到闪存 7.undo迁移到闪存 8.备库修改参数 环境:Oracle 11.2.0.4 RAC(2 nodes) 说明:假设新增闪存挂载点是/flash(使用了第三方的集群文件系统),如果是使用Oracle的ASM,则本文提及的所有/flash目录都可以认定是新的闪存磁盘组是+FLASH. 1 实施需求 为提高数据库IO性能,采购了全闪存

和UFS闪存相比,eMMC的性能更弱,同一型号的手机混用这两种规格的闪存,让一些消费者感到了不满.对此,厂商称通过优化,eMMC的产品也可以获得优秀的体验.这个优化到底是怎么回事?根据以往的一些宣传,可以推断出是由于储存器使用了更先进的文件系统——F2FS. 对于储存器的文件系统,很多朋友或许并不太关注.但在使用上,不可避免地会感受到不同文件系统之间的区别——最直观的,莫过于兼容问题,例如NTFS文件系统的硬盘插到Mac电脑中无法写入,WinXP无法辨别exFAT文件系统等等.为什么储存器会选择

http://storage.chinabyte.com/187/12494187_2.shtml 在上一篇<VMware的存储野心(上):软件定义.分布式DAS支持>中,我们分别讨论了"何谓软件定义的存储?vSphere哪些方面仍待提高?"和"VMware分布式存储:应用场景.VSA对比"两个小话题.本文继续来谈谈未来计划中的Virtual Volume(虚拟卷)和Virtual Flash(虚拟闪存). Virtual Volume:基于vmdk的细

智能闪存功能最初在XD中引入.从Oracle11.2.0.2开始,除了用于XD存储,还可用于任何闪盘.Oracle12c中,不需卷管理器就可以使用闪盘. 1.  简介 智能闪存在solaris和linux上都可用,允许用户把闪盘当做第二层缓冲使用来改善性能.通常,当缓存中的数据因超时而被刷出后,下次使用时需被再次从磁盘读取到内存.通过智能闪存,超时的数据可以被放在智能缓存中,当这些数据被再次使用时,比从磁盘上读取能更快些. 为了能优化性能,官方文档建议智能闪存应该为缓存的2~10倍.这里,我们有