最近在工作中,一直在调试关于MOSFET的电路.在设计过程中发现了PMOS和NMOS的差异,在此记录. 一. MOSFET简介 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)的中文应称为"金属氧化物半导体场效应管".从名字中就可看出这是一种场效应管,场效应管为我们带来了逻辑电路,从而有了计算机的物理实现.所有的场效应管的原则都是通过输入控制输出,具体来讲就是通过控制元件某部分的电压,来改变元件的导电性,从而改变流过元

在电路中常见到使用MOS FET场效应管作为开关管使用.下面举例进行说明. 如图1所示,使用了P沟道的内置二极管的电路,此处二极管的主要作用是续流作用,电路是Li电池充放电电路,当外部电源断开时采用Li电池进行内部供电,即+5V电源断开后Q1的G极为低电平,S极和D极导通,为系统供电.图中D2和D3的一方面是降压的作用,使5V降为4V(D2为锗管压降为0.2V,D3硅管压降为0.7V). 图2 工作原理同图1,也使用了内置续流二极管的P沟道COMS FET. 图3使用了内置续流二极管的N沟道的C

在很多电路途中会出现NMOS和PMOS管,因为不是中文那么直接,都说管压降之类的,但其实它的导通很重要以及区别,关系到你点亮电子元件> 参考: 1.https://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9124855 2.http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=108410&TID=2 3.https://blog.csdn.net/phenixyf/article/details/45741959 NM

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

选择MOS管的时候需要注意的几个参数1,VDSS(击穿电压):此电压要选择合适,一般是加入的电压值的峰值的两倍.2,VGS(th)(开启电压):3,RDS(on)(漏源电阻):这个值要尽可能的小,因为一旦阻值偏大,就会使得功耗变大.而功耗一旦变大,就会加速温升.加速温升,就会需要用到散热装置,从而使得布板出现不必要的浪费.4,ID(导通电流) 一款电调上的MOS管,驱动桥 >> SI4166 - NMOS管子  VDS - 30V    VGS - 正负20V  ID - 30.5A    P

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

NandFlash详述 转自:http://wenku.baidu.com/view/04d9330bb52acfc789ebc92f.html?re=view 1. 硬件特性: [Flash的硬件实现机制] Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device).这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电

一.Cortex M3的GPIO口特性    在介绍GPIO口功能前,有必要先说明一下M3的结构框图,这样能够更好理解总线结构和GPIO所处的位置. Cortex M3结构框图     从图中可以看出,GPIO口都是接在APB总线上的,而且M3具有两个AHB到APB桥,GPIO则直接接在AHB矩阵上,这样可以减少CPU和DMA控制器之间的竞争冲入,获得较高性能.APB总线桥配置为写缓冲区,使得CPU或DMA控制器可直接操作APB外设,而无需等待总线写操作完成. M3数字I/O功能:高速GPIO口

一:编译第一个程序 int main() //主函数 { } void SystemInit() //在执行主函数前,会被调用.不进行实现.在启动文件中被调用 { } ; Reset handler Reset_Handler PROC EXPORT Reset_Handler [WEAK] IMPORT __main IMPORT SystemInit LDR R0, =SystemInit BLX R0 LDR R0, =__main BX R0 ENDP 启动文件:复位程序部分汇编代码 二

具有开漏(OD)输出的器件是指内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET(T1),这些器件可以用于电平转换的应用.输出电压由Vcc'决定.Vcc'可以大于输入高电平电压VCC(up-translate)也可以低于输入高电平电压VCC(down-translate). 开漏器件对于各种电压节点间的电平转换非常有用.但是,这种电平转换的方法存在一些缺点.例如,当输出电平为低时,N沟道三极管是导通的,这样在Vcc'和GND之间有一个持续的电流流过上拉电阻Rpullup和三极管T1.这会影响整个系统的功耗

作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一

作为一个微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是有必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关,通过电压或者电

PSpice A/D9.1个别时候可能会出现异常现象,例如:某一步后,突然电路图的电源极性被自动改变了!造成直流电压和直流电流不正常,输出无波形.所以应该趁正常的时候做好备份是明智的. PSpice A/D9.1没有提供变压器仿真,但是可以用一个磁芯和3只电感来模拟. PSpice A/D9.2提供了变压器仿真库模块. 默认环境温度是27℃. 电阻的单位是:(Ω)(默认),K(Ω),MEG(MΩ):允许使用4R7.4K7的标注方法:但是,0.1Ω不能标成容易混淆的R1,也不支持4M7或4MEG7

Transistor Tutorial Summary Transistor Tutorial Summary Bipolar Junction Transistor Tutorial We can summarise this transistors tutorial section as follows: The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a three layer device constructed form two semiconduct

在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助.我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大.MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同. 关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解. 从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵. 关于功耗问题:三极管损耗大. 驱动能力上的的不同:MOS管常用于电

了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管.NMOS做下管比较方便.使用PMOS做下管.NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用. 下面先了解MOS管的开通/关断原理,请看下图: NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高):而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例. NMOS管 使用NMOS当下管,S极直接接

1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V 栅极(Gate-G,也叫做门极),源极(Source-S), 漏极(Drain-D) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 33A 栅源极阈值电压 4V @ 250uA 漏源导通电阻 44mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C) 130W 类型 N沟道 IRF540N(NMOS管)应用电路 MOS管由电压控制,与三极管不同(三极管是电流控制).说白了,给箭头方向相反的压降就是导通,方

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.

Almost all integrated circuits (ICs) have at least two pins which connect to the power rails of the circuit they are installed in. These are known as the IC's power supply pins. However, the labeling of the pins varies by IC family and manufacturer.

实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增