最近研究了下nor flash的掉电问题,对nor的掉电有了更多的认识.总结分享如下 擦除从0变1,写入从1变0 nor flash的物理特性是,写入之前需要先进行擦除.擦除后数据为全0xFF,此时写入操作,实际上是将数据从1改成0. 一般先擦后写,但实际上擦除后每个位置是可以写入多次的,只要每次写入都是让某些bit从1变0即可. 例如在擦除后数据为0xFF,此时写入0x0F,可读出0x0F,再写入0x01,可读出0x01,再写入0x00,可读出0x00. 而对于0x00,就无法再改写成任何值了

NOR Flash擦写和原理分析 1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),

Nor Flash上电后处于数据读取状态(Reading Array Data).此状态可以进行正常的读.这和读取SDRAM/SRAM/ROM一样.(要是不一样的话,芯片上电后如何从NorFlash中读取启动代码.~) 一般再对Flash进行操作前都要读取芯片信息比如设备ID号.这样做的主要目的是为了判断自己写的程序是否支持该设备. Nor Flash支持2种方式获取ID号.一种是编程器所用的方法需要高电压(11.5V-12.5V).另一种方法就是所谓的in-system方法,就是在系统中通过N

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

1. NOR FLASH 的简单介绍 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行(这意味着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行).这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入式系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似(只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据),但不可以直接进行写操作.对NOR

所谓提高flash的擦写次数,并不是真正的提高flash擦写次数,而是通过以"空间换时间"概念,在软件上实现“操作的次数大于其寿命”.详见链接: http://bbs.eeworld.com.cn/thread-235786-1-1.html  

经过一段时间的研究终于把TMS320C6657单核和双核的SPI Nor Flash的程序烧写调通了.工具都是前辈的工作,有需要的可以留下邮箱,我有空可以发. 原理参考钱丰的<TI c66x 系列DSP 多核BOOT 的研究>论文. 通过Nor flash 烧写加载程序的全部流程:(在no-boot模式下) 一.首先讲讲工具链: hex6x 配合.rmd文件(有几个.out文件就需要几个.rmd文件,描述输出控制.引导选项.存储器选项等内容)生成片上引导加载器加载程序所需的引导表,输出文件为*

1.1 SST25VF080B简介1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. l 容量:8MBit: l 最高SPI时钟频率:50MHz: l 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. l 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对

源:STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 前一段时间在弄SPI,之前没接触过嵌入式外围应用,就是单片机也只接触过串口通信,且也是在学校的时候了.从离开手机硬件测试岗位后,自己一直想在嵌入式方面发展,在1月4号开始自己的第二份工作后,首先接触到的是为STM32F103写SPI控制flash读写操作,现记下曾经的脚印,希望以后能少走弯路!心得:细心活! 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,

STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,flash芯片为MACRONIX INTERNATIONAL的MX25L6465E,64Mbit. SPI应该是嵌入式外围中最简单的一种应用了吧!一般SPI应用有两种方法:软件仿真,手动模拟产生时序和应用主控芯片的SPI控制器. 一般采用第二种方法比较好,比较稳定.应用主控芯片的SPI控制器,要点:正确的初始化S

目录 FLASH简介 W25Q64 W25Q64简介 FLASH控制指令 FLASH内部存储结构 代码讲解 读取芯片ID 发送写使能信号 等待FLASH不忙 擦除扇区 写入数据 读取数据 注 FLASH简介 FLASH俗称闪存,和EEPROM一样,都是掉电数据不丢失的非易失行存储器,但FLASH的存储容量普遍大于EEPROM,现在像如U盘.SD卡.SSD固态硬盘以及STM32芯片内部存储程序的设备都是FLASH类型的存储器.由此可见FLASH对于我们学习和工作的重要性,EEPROM可以实现单字节

Overview SPI flash, 分为spi flash, DUAL spi flash, QUAD spi flash, 3-wire spi, 4-wire spi, 6-wire spi. 在clock一定的情况下, 理论上线数越多速度越快 NOR flash和Nand flash相比 NOR缺点: 价格贵, 容量小, 擦除块大, 擦除速度慢, NOR flash擦出寿命为100,000次, 远小于NAND flash的一百万次. NOR可以单字节编程, 也就是说一次只更新一个byt

本原理:在 windows 环境下借助 ADS 仿真器将在 SDRAM 中的一段存储区域中的数据写到 Nand flash 存 储空间中.烧写程序在纵向上分三层完成: 第一层: 主烧写函数(完成将在 SDRAM 中的一段存储区域中的数据写到 Nand flash 存储空间中): 第二层: 为第一层主烧写函数提供支持的对 Nand flash 进行操作的页读.写,块擦除等函数: 第三层:为第二层提供具体 Nand flash 控制器中对特殊功能寄存器进行操作的核心函数,该层也是真正的 将数据能够在

最近因项目需要,做一个数据采集的单片机平台.需要移植 FatFs .现在把最后成果贴上来. 1.摘要 在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 . 特点: 系统配合 FatFs 实现了坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错 2.代码分析 2.1.擦写均衡分析 在create_chain 函数中实现,每次分配都由当前scl 指向的 free cluster 开始,逐块检查,是否有可用 cluster 存在.如果没有则取下一块

Nandflash镜像文件系统尾部经常被填充0xFF以补齐大小,这样做是错误的,可能会有意想不到的bug.包括JFFS2.UBIFS等. 因此建议丢弃多余的0xFF. 出自:http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/ubi.html If your UBI image contains UBIFS file system, and your flash is NAND, you may have to drop 0xFF bytes the end of in

使用了MX25L512的SPI接口的Flash 电路连接图: 总的大小512kb,即64kB,sector的大小为256 Bytes,block的大小为4k Bytes 调试时出现的问题: 1.Flash只能读数据,不能写数据 根源在于Flash的软件写保护没有去掉,这样,写.擦除,甚至写状态寄存器都不能执行. 1)Hardware Protection Hardware Protection Mode(HPM):by using WP# going low to protect the BP0

(欢迎批评指正) 一,打开.cdd配置文件时出错: 解决:在FlashBurn配置窗口中,Conversion Cmd一栏可不用管:      菜单Program—Download FBTC,load之后TargetSystem一栏中显示“Connected”!.可进行下一步. 二.擦除flash之后不loadfpga配置程序而直接load烧写文件,无法烧写成功.Can't Run Target CPU: Error0x0000000C/-2044 Error during: Register,

注意 此贴 为个人边“开荒”边写,所以不保证就是最佳做法,也难免有错误! 正式教程会在后续开始更新 首先我们在HTML里的JS里面添加几行代码 我们在FLASH中新建一个元件,并拖入到舞台,在属性面板上命名为mc,并在时间轴上添加以下代码 this.mc.on("click",function() { console.log(aa) tipIt("这是来自flash的文字") console.log(canvas.width,canvas.height) canva

有关DAVINCI U-BOOT的移植,以前写过一篇u-boot-1.3.4(2008年的),其实和这个u-boot-2009.03差别不大,只不过这个u-boot-2009.03是从TI的网站上下载的,是DAVINCI系列最新的u-boot,也适合DM6467和DM365/368,移植的方法承接.Davinci产品需要烧写UBL.U-BOOT.KERNEL.ROOTFS这四个最基本的文件.UBL的烧写有两种方式,一个就是TI开发包自带的NandWriter.out文件,这必须使用560-plu

1 应用场景介绍   硬件条件:使用stm32 MCU   软件条件:协议栈应用   协议栈简单介绍如下:   类似于OSI七层模型,所涉及的协议栈包括应用层,网络层,链路层,物理层,如下图:   在协议栈应用层,网络层和链路层都会产生数据,但是大部分的数据是网络层产生的,数据管理尽量放在某一层统一管理.数据的管理无外乎读,写两个操作,读数据在哪一层都可以,只要能得到flash地址,不管在哪一层,都能读到预定的数据.写数据则不然,尽量放在同一层统一写入,否则在多任务读写时,就会存在问题. 2 应