转自:http://www.aiuxian.com/article/p-2796357.html 电子产品如果没有了电,就跟废品没什么区别,是电赋予了他们生命,然而程序则是他们的灵魂. 小时候一直很好奇,一个个死板的电子产品为什么一上电以后就能够工作了呢?为什么一个小小芯片就能够运行我们编写的程序呢?一个开发板从刚上电到整个操作系统能够运行起来是怎么办到的呢?这些东西困扰了好久,参考了好多资料现在才慢慢弄明白其中一些原理. 我们现在接触的大多数电子产品都是使用数字电路设计出来的,数字电路的精髓就

转自:http://qiaodahai.com/solid-state-drives-ssd-and-flash-memory.html 固态硬盘SSD(Solid State Drive)泛指使用NAND Flash组成的固态硬盘,其特别之处在于没有机械结构,利用传统的NAND Flash特性,以区块写入和抹除的方式作读写的功能,因此在读写的效率上,非常依赖读写技术上的设计,与目前的传统硬盘相较,具有低耗电.耐震.稳定性高.耐低温等优点. 世界上第一款固态硬盘出现于1989年,不过由于其价格过

//get 方式把id传到路由 <a href="/admin/reply/add/{{$comment -> id}}" class="btn btn-block btn-success">回复</a> //通过路由访问控制器 进而取得方法 Route::get('/admin/reply/add/{id}','Admin\CommentController@add'); //控制器里的方法 public function add(R

NAND闪存是一种电压元件,靠其内存电压来存储数据,现在我们就来谈谈它的结构及工作原理. 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate),它便是真正存储数据的单元.请看下图:                   数据在闪存的存储单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的.存储电荷的多少,取决于图中的控制栅极(Control gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷.而数据

用android的终端模拟器,进入以后进入界面,输入命令ls /proc/fs/*,可以查看是否ufs还是emmc硬盘:用devcheck可以查看到手机的内存是否是DDR3还是DDR4:用androbench可以检测手机的硬盘4K随机写的速度是多少. 如果说emmc4.5是5400转机械硬盘,emmc5.0是7200转机械硬盘,那ufs2.0就是ssd 于是在华为论坛上,大家通过安卓平台的开发工具,证实华为 P10 的存储芯片有 eMMC5.1.UFS 2.0 和 UFS 2.1三种版本,甚至内

NANDflash和NORflash的区别(设计师在使用闪存时需要慎重选择)     NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR

一件很有意思的事情引发的无聊尝试. 博客园有个很有趣的功能,就是闪存,翻阅到07年园长对闪存的定义:      记录一闪而过的想法,高兴或者不高兴都可以发一下.我用这个一直以来的想法就是,想到点啥发点啥,顺便看看别人发的啥.但是.....唔......有的人可能言论过激,引起他人不适,于是就开撕了,这样的场景屡见不鲜,场面之激烈堪称一场大戏~~ 于是就有园友期望可以出个屏蔽功能,不喜欢的人直接在自己的列表里pass掉. 其实吧,我觉得,有时候没有必要去和别人争吵,看不惯就看不惯,就当个笑话就好.

之前我们发布过金士顿DT100 G3的黑片量产工具教程,因为白片的MPALL量产工具无法量产,所有版本的Phison_MPALL都爆红,最近出了新的白片MPALL V5.03.0A版本,所以试了一下结果成功了,先上图 可以看到这次量产的是东芝闪存颗粒,之前的是海力士的.具体量产教程如下:1.下载MPALL_F1_7F00_DL07_v503_0A2.打开文件夹中检测工具Getinfo v3.10.7.6,发现主控是PS2251-07,颗粒是东芝的TLC 3.打开文件夹中的MPALL_F1_7F0

文档标识符:AU6989_FLASH-DRIVE_D-P8 作者:DLHC 最后修改日期:2020.8.22 本文链接: https://www.cnblogs.com/DLHC-TECH/p/AU6989_FLASH-DRIVE_D-P8.html 完成后 图0.0-完成后 量产工具.闪存支持列表.数据手册和教程 链接(1):百度100KB/s网盘 提取码:uwyr 链接(2):蓝奏云 前言 主控:采用安国AU6989主控制器,接口为USB2.0(全速),板子上可以焊接一块存储器芯片(封装为T

文档标识符:NS1081_FLASH-DRIVE_D-P9 作者:DLHC 最后修改日期:2020.8.22 本文链接:https://www.cnblogs.com/DLHC-TECH/p/NS1081_FLASH-DRIVE_D-P9.html  完成后 图0.0-完成后 量产工具.数据手册和详细教程 链接(1):百度100KB/s网盘 提取码:vkmn 链接(2):蓝奏云 前言 主控:采用瑞发科公司的NS1081主控制器,其USB接口支持USB SuperSpeed (5Gbps). Hi

导读 很多安全专家偏好像 VeraCrypt 这类能够用来加密闪存盘的开源软件,是因为可以获取到它的源代码.要是你需要在 Windows 系统,苹果的 OS X 系统或者 Linux 系统上加密以及访问文件,开源软件 VeraCrypt 提供绝佳的选择. 很多安全专家偏好像 VeraCrypt 这类能够用来加密闪存盘的开源软件,是因为可以获取到它的源代码.保护 USB 闪存盘里的数据,加密是一个聪明的方法,正如我们在使用 Microsoft 的 BitLocker 加密闪存盘 一文中提到的.但是

闪存ing.cnblogs.com是博客园类似推特.饭否的服务, 我写了以下程序可以完成发闪存的操作,目的是顺便练习使用requests库. requests是一个python 轻量的http客户端库,与比python的标准库优雅很多. 使用以下命令安装requests pip install requests 抓包工具中看到的http头和cookies会多很多项,其中一些是可以省略掉的.比如我省略掉了Content-Length. """ python3使用requests

Client写入 -> 存入MemStore,一直到MemStore满 -> Flush成一个StoreFile,直至增长到一定阈值 -> 出发Compact合并操作 -> 多个StoreFile合并成一个StoreFile,同时进行版本合并和数据删除 -> 当StoreFiles Compact后,逐步形成越来越大的StoreFile -> 单个StoreFile大小超过一定阈值后,触发Split操作,把当前Region Split成2个Region,Region会下

在嵌入式系统中,NOR闪存一直以来仍然是较受青睐的非易失性内存,NOR器件的低延时特性可以接受代码执行和数据存储在一个单一的产品.虽然NAND记忆体已成为许多高密度应用的首选解决方案,但NOR仍然是低密度解决方案的首选之一. 未来闪存产品具有快速发展的趋势,可以发现,闪存产品从低密度.低性能.低功能的发展特点转变为高密度.高性能.高功能的发展特点.Spansion的NOR闪存广泛运用于汽车电子.医疗设备.通讯设备.机顶盒等. SPI Flash特性 SPI串行结构的EEPROM最早出现于20世纪

早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同,会碰到各种各样的问题,特别是到了06年之后,闪存产业市场需求开始发力,造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题. 2007年1月,以英特尔,镁光,海力士,意法半导体,力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”.       ONFI 1.0制定的是包括:闪存指令,寄存器集,引脚排列,电气参数以及封装等有关标准.主要是从包括东芝和三星在内各NAND闪存厂商的

和UFS闪存相比,eMMC的性能更弱,同一型号的手机混用这两种规格的闪存,让一些消费者感到了不满.对此,厂商称通过优化,eMMC的产品也可以获得优秀的体验.这个优化到底是怎么回事?根据以往的一些宣传,可以推断出是由于储存器使用了更先进的文件系统——F2FS. 对于储存器的文件系统,很多朋友或许并不太关注.但在使用上,不可避免地会感受到不同文件系统之间的区别——最直观的,莫过于兼容问题,例如NTFS文件系统的硬盘插到Mac电脑中无法写入,WinXP无法辨别exFAT文件系统等等.为什么储存器会选择

国产闪存颗粒终于熬出头 紫光存储S100固态硬盘评测 https://www.cnbeta.com/articles/tech/830875.htm 全国产的 SSD 群联貌似是对岸的 不过不管怎么说 也是国产了.   2017年以来,随着NAND颗粒价格的大起大落,固态硬盘产品也出现了成倍的价格上涨和近期的大幅度下落.这背后与国际大厂的默契操盘有着躲不开的关系.NAND颗粒作为广泛引用于PC.移动设备和各类存储设备的重要基础产品,对各大产业的影响不言而喻.这也是为什么近两年中国会大力投资相关产

本文转载自:https://blog.csdn.net/Blazar/article/details/77843655 快闪存储器(英语:Flash Memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器.这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘.闪存是非易失性的存储器,所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的. 硬盘相比,闪存也有更佳的动态抗震性.这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因.闪存还有一项特性:当

Hardy 架构师技术联盟 All Flash/SSD存储的趋势势不可挡,未来在NAS服务上也是如此,眼下已经有非常多家初创厂商支持全SSD的NAS存储服务,包含EMC Isilion也推出了全闪存节点. 闪存场景下的高IOPS能力,相应到NAS应该是OPS操作能力.如随机小文件读写.分析和热点加速等.在NAS对数据库的支持上.比如GPFS NAS 对PureScale.Oracle支持上.假设存储介质採用SSD.那么对数据库性能和处理能力上,将会有显著的提升. 今天我们来看看Purestora

来自 http://www.ssdfans.com/?p=1778 闪存存在几个问题,影响着数据可靠性: 1.擦除次数,闪存擦除次数增多,会使隔离栅极的电化学键变弱. 2.data retention问题,随着时间的流逝,存储在闪存中的数据会消失,原因是浮栅极里面的电子跑出来了.电子跑出来的速度是跟擦除次数成正比的,也就是,闪存擦写次数越多,电子跑得越快,也就是数据消失得越快. 3.program disturb和read disturb,顾名思义,就是读写闪存的时候,会影响数据. 还是这张图,

来自 http://www.ssdfans.com/?p=1814 SSD之所以需要BCH或LDPC等ECC纠错算法,是因为闪存中的数据会在神不知鬼不觉的情况下发生比特翻转. 导致比特翻转的原因很多,比如之前提到的data retention 问题, PE问题,read disturb问题,还有其他一些问题.Program Disturb也是其中原因之一,今天就介绍一下什么是Program Disturb,它是如何导致数据出错的. 要对闪存Block进行擦除操作,擦除是把浮栅极里面的电子赶出来.