基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（07）

今天主要解决一下defect语句：

defect region=1 nta=1.55e20 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e16 wga=2 ntd=1.55e20 ngd=0 wgd=0

之前（02）的例子里还有doping的定义：

doping material=IGZO donor concentration=5e17 uniform

doping前：

doping后：

？？？可能是掺杂多了？？？

Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors—Part I: Complete Extraction of Density of States Over the Full Subband-Gap Energy Range

这篇文章里给出了IGZO部分参数：

语句更改如下：

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15

defect region=1 nta=1e18 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0

interface QF=-2e10 S.I

输出：（-16~-6）

接下来安排：

1.阅读文献，深度理解DOS模型的含义；

2.调试，寻找参数与开关比的关系，调整开关电流；

下午仿真文件目录：

200211_3j

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0

interface QF=-5e10 S.I

200211_3j_2

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0

interface QF=-5e10 S.I

200211_3j_3

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4e20 ngd=0 wgd=0

200211_3j_4

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4e20 ngd=0 wgd=0

200211_3j_5

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20

defect region=1 nta=1e16 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=1e19 ngd=0 wgd=0

200211_3j_6

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=30

defect region=1 nta=1e16 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=1e19 ngd=0 wgd=0

输出：

放大，关注的开态电流：

主要变化还是依据于迁移率mun参数的改变，根据文献，开态饱和电流公式：

直接更改的参数只有迁移率与栅电容，但是迁移率有限制，即IGZO迁移率仍存在限制。下一步考虑更改氧化层参数。