一.典型电路 1.电路1 说明: GND-IN 为电源接口的负极 GND 为内部电路的公共地 原理分析 正向接: VCC-IN通过R1.R2.MOS体二极管,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成:沟道电阻很小,将MOS体二极管短路. 反向接:MOS体二极管截至 2.电路2 说明: GND-A-24V 为电源接口的负极 GND-A    为内部电路的公共地 原理分析 正向接: VCC-IN通过R1.R2 ,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成,GND-A…

电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.…

[导读]  一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. 关键词:PMOS管MOS管电源管理 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到…

转自嵌入式单片机之家公众号 问题的提出 电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我们就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的 01二极管防反接 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护.这种接法简略可靠,但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的.以输入电流额定值抵达2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管  MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗至少也要抵达:Pd＝2A×0.7V＝1.4W,这样功率低,发…

三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一…

这里有两种解释: 1.mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏. 2.防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管.…

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3…

实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增…

如今每一天都有不知其数的半导体芯片设计公司与设计验证工程师,在用着电路仿真软件SPICE.SPICE广泛应用在仿真模拟电路(例如运放Op Amp,能隙基准稳压电源Bandgap Reference,数模/模数转换 AD/DA等),混合信号电路(例如锁相环PLL,存储器SRAM/DRAM,高速输入/输出接口high-speed I/O),精确数字电路(例如延时,时序,功耗,漏电流等),建立SoC的时序及功耗单元库,分析系统级的信号完整性,等等.作为最早的电子设计自动化软件,它今天仍然是最重要的软件…

PSpice的主要功能及特点: OrCAD软件的主要组成包括:OrCAD/Capture CIS.OrCAD/Layout Plus.OrCAD/Express及OrCAD/PSpice.它们分别是:电路图设计.电路板设计.可编程逻辑器件设计及模拟/数字混合电路仿真.电路原理图绘制后可直接进行仿真及设计.与同一个电路设计相关的电路原理图.仿真和设计中采用的参数设置.设计资源.生成的各种文件.分析结果等内容都由Project Manager统一管理. 下面主要介绍OrCAD/Capture CIS…

场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)简称场效应管,是一种由多数载流子参与导电的半导体器件,也称为单极型晶体管,它主要分型场效应管(Junction FET, JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide Semiconductor FET,MOSFET),属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高.噪声小.功耗低.动态范围大.易于集成.无二次击穿现象.安全工作范围宽等优点. 本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管,其基本结构如下图所示: 如…

背景 配置stm32f103使其完成PWM输出的过程中,在配置GPIO口的时候,按照习惯配置GPIO口的speed为50MHZ,突然就意识到,为什么大部分例程习惯配置为50MHZ,而不是其它值,即有了此文章. 正文 先说说GPIO口speed的问题,这个一般是用来定义GPIO口上升沿或者下降沿的时间,频率越高,上升沿下降沿时间越短,但是其噪音也就越大,因此,如果没有特别的需求,该值应该不要配置太高.在技术手册里,其给了3个速度选择,库函数的相应表现形式如下: /** * @brief Outpu…

JACK学习文档推荐: 开关电源PCB布局注意事项 开关电源PCB布线注意事项 一.Sense电压检测(FB) “Sense+”和“Sense-”,就是四线制中的电压检测线,high-sense 和low-sense分别连接远端负载的正负极,监测电源电压,抵消长距离传输线引起的电压损耗.这两个Sense接线端的作用简而言之就是调整Output至负载端的输出电源. 我们分析下原因,由于从电源Output端到负载的线缆存在阻抗(实际非常小,从阻值上看可以忽略),这就会引起在线缆两端产生压降,好比在理…

作为一个电机驱动开发方面的菜鸟,近日研究了一下通过MOS管对整流后的电源斩波用以驱动直流电机进行调速的方案. 在驱动的过程中,遇到了很多问题,当然也有很多的收获. 写下来以供自己将来查阅,也为其他菜鸟提供一些力所能及的帮助. 1.研究目标     公司使用的电机驱动原来是用的模拟电路.驱动220V的高压直流电机.可是模拟电路的构成看不懂,方案是直接"借鉴"而来(你懂的哈).所以一旦出现故障,就仅仅能束手就擒了.为了解决技术方面的问题,仅仅能使用自觉得能够的数字控制方案,用来进行直流电机…

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态…

一.硬件方面 除了下面列举的方面,还需要评估下其他措施. 1.电源因素,禁干扰. 只要用廉价劣质的开关电源,不管哪个单片机,都存在EEPROM丢数据和单片机程序丢失的情况. 1.转接板走线,直接接到了单片机IO,静电会直接传导到单片机.应该设计放静电电路.可以到专门实验室做打静电测试验证是否会导致丢程序. 2.对于所有包含有Flash写/擦除子程序的系统,当CPU工作在规定的VDD.温度.系统时钟频率范围之外时,对Flash进行写/擦除操作,都有可能出现Flash数据错误的现象. 系统在单片机的…

1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V 栅极(Gate-G,也叫做门极),源极(Source-S), 漏极(Drain-D) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 33A 栅源极阈值电压 4V @ 250uA 漏源导通电阻 44mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C) 130W 类型 N沟道 IRF540N(NMOS管)应用电路 MOS管由电压控制,与三极管不同(三极管是电流控制).说白了,给箭头方向相反的压降就是导通,方…

PID就是(比例(proportion).积分(integral).导数(derivative)),在工程实际中,应用最为广泛的调节器控制规律为比例.积分.微分控制,简称PID控制,又称PID调节. 运放的积分电路: 运放的微分电路 微分电路的输出端和输入端的相位相差90°. 电路一: 运放制作的PI调节器 电路二 运放制作的PD调节器 电路三 运放制作的PID调节器…

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的…

目录 MOSFET, MOS管基础和电路 MOS管实现的STC自动下载电路 三极管配合 PMOS 管控制电路开关 STC MCU在烧录时, 需要断电重置后才能进入烧录状态, 通常是用手按开关比较繁琐. 如果利用STC-ISP在烧录开始时会拉低RTS的特性, 可以实现烧录开始时自动断电复位. 电路仿真测试 下面的电路适用于烧录下载STC MCU. 使用LTspice模拟. V2 为方波, 电压[0, 3.3V], 宽度1.5s 以下为模拟输出, 绿色为三极管基极电压, 红色为MOS管栅极(Gate…

嵌入式开发PCB设计几点体会(转载):http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3021801.HTMCollector-Emitter Saturation Voltage:集电极-发射极饱和电压 PCB常见封装(转载):http://blog.163.com/w_m314@126/blog/static/67849299201092211745865/?latestBlog 51单片机的IO口驱动能力.灌电流.拉电流.上拉电阻的选择:http://bbs.el…

1 三极管和MOS管的基本特性 三极管是电流控制电流器件,用基极电流的变化控制集电极电流的变化.有NPN型三极管(简称P型三极管)和PNP型三极管(简称N型三极管)两种,符号如下: MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化.有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS),符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管): 2 三极管和MOS管的正确应用 (1)P型三极管,适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况.只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V…

Reverse Voltage Protection I've long wanted to pull together some reverse polarity protection ideas in one place. Many are found individually on the web, but seldom several in one place. A recent QRP-L thread prompted me to put together this page. I…

目的:很多单电池的机器在大负载的情况下,如把背光开到最亮,运行3D游戏,此时拔DC电源很容易出现机器死机,或花屏现象: 原因:Q5的导通时间不够,希望通过G极的快速放电,加快到导通时间: 修改前的电路: (电池电压为3.65V时切换,黄色表示VB,绿色MOS的G极)运行3D游戏时,拔除充电电源,MOS管转为导通状态需时32ms左右,VB drop为725mV. (电池电压为3.4V时切换,黄色表示VB,绿色MOS的G极)运行3D游戏时,拔除充电电源,MOS管转为导通状态需时11ms左右,VB d…

源:电池和Adapter切换电路改进实验 目的:很多单电池的机器在大负载的情况下,如把背光开到最亮,运行3D游戏,此时拔DC电源很容易出现机器死机,或花屏现象: 原因:Q5的导通时间不够,希望通过G极的快速放电,加快到导通时间: 修改前的电路: (电池电压为3.65V时切换,黄色表示VB,绿色MOS的G极)运行3D游戏时,拔除充电电源,MOS管转为导通状态需时32ms左右,VB drop为725mV. (电池电压为3.4V时切换,黄色表示VB,绿色MOS的G极)运行3D游戏时,拔除充电电源,MO…

节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020…

1.输入失调电压(Input Offset Voltage) VOS    若将运放的两个输入端接地,理想运放输出为零,但实际运放输出不为零.此时,用输出电压除以增益得到的等效输入电压称为输入失调电压.    其值为数mV,该值越小越好,较大时增益受到限制. 2.输入失调电压的温漂(Input Offset Voltage Drift),又叫温度系数 TC VOS    一般为数uV/.C 3.输入偏置电流(Input Bias Current) IBIAS    运放两输入端流进或流出直流电流…

MOS管 增强型:就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道,只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道.耗尽型:就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了. PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原…

MOS管的栅极和源极之间的电阻: 一是为场效应管提供偏置电压:二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S: 保护栅极G-源极S: 场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极:这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用. 具体的例子:MOS管在开关状态工作时,Q1.Q2是轮流导通,MOS管栅极在反复充…

下图是两种MOS管的典型应用:其中第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断,Drain端接后面电路的接地端:第二种为PMOS管典型开关电路,为高电平断开,低电平导通,Drain端接后面电路的VCC端. @beautifulzzzz 智能硬件.物联网,热爱技术,关注产品 博客:http://blog.beautifulzzzz.com sina:http://weibo.com/beautifulzzzz?is_all=1…