CMOS集成电路的基本结构是以P型材料作为衬底(p-substrate),直接生成NMOS, 同时增加N肼(n-well),在其上制造PMOS. 增加两个bulk(P+,N+)防止非MOS管内的PN结反偏. NMOS一般放在Pull-down结构中,PMOS一般放在Pull-up结构中. NMOS与PMOS均采用增强型的类型,这样便于控制channel length. Bulk端和Gate,Source,Drain通过metal层引出. 在基本的invert中,NMOS的Drain与PMOS的S…